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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3PF |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 雪崩能效等级（Eas）： | 640 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 64 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS254B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRFS254B_FP001 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRFS3004 | INFINEON |
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40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 |
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| IRFS3004-7P | INFINEON |
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40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 7引脚 D2-Pa |
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| IRFS3004-7PPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS3004PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS3004TRL-7P | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IRFS3004TRL7PP | INFINEON |
获取价格 |
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS |
|
| IRFS3004TRL-7PPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IRFS3004TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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