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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, D2PAK-7/6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.67 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 896991 | Samacsys Pin Count： | 7 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | PG-TO263-7-3 | Samacsys Released Date： | 2019-12-03 23:06:36 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 320 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 260 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 240 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0026 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263CB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 370 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1060 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB030N08N3GATMA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF2907ZS-7PPBF | INFINEON |
类似代替 |
IRF2907ZS-7PPBF |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS3107PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFS3107TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS3107TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS31N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) |
|
| IRFS31N20DHR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS31N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)ma |
|
| IRFS31N20DTRL | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB |
|
| IRFS31N20DTRLP | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS31N20DTRR | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB |
|
| IRFS31N20DTRRP | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
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