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IRFS3207PBF

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 380K
描述
HEXFET㈢Power MOSFET

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IRFS3207PBF 数据手册

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PD - 95708D  
IRFB3207PbF  
IRFS3207PbF  
IRFSL3207PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
D
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
75V  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
3.6m  
4.5m  
170A  
G
Benefits  
S
ID  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
S
S
S
D
D
D
G
G
G
D2Pak  
IRFS3207PbF  
TO-262  
IRFSL3207PbF  
TO-220AB  
IRFB3207PbF  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Max.  
170  
Units  
A
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
120  
720  
Pulsed Drain Current  
PD @TC = 25°C  
300  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
2.0  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
5.8  
Peak Diode Recovery  
dV/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
10lb in (1.1N m)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS (Thermally limited)  
910  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
See Fig. 14, 15, 16a, 16b,  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.50  
–––  
62  
Units  
Rθ  
Junction-to-Case  
JC  
CS  
JA  
JA  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220  
Junction-to-Ambient, TO-220  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak  
–––  
40  
www.irf.com  
1
03/06/06  
1234567...12

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IRFS3207PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS3207TRLPBF INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3207ZTRRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS3207ZPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET

与IRFS3207PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS3207TRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3207TRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3207TRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3207Z INFINEON

获取价格

 		75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRFS3207ZPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFS3207ZTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS3207ZTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS3306 INFINEON

获取价格

 		60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRFS3306PBF INFINEON

获取价格

 		High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS3306TRLPBF INFINEON

获取价格

 		High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

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