是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.7 | Is Samacsys: | N |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFS33N15D | INFINEON |
功能相似 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFS33N15DTRR | INFINEON |
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暂无描述 | |
IRFS340 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR | |
IRFS340A | FAIRCHILD |
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Advanced Power Mosfet | |
IRFS340B | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
IRFS341 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR | |
IRFS342 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFS343 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFS350 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR | |
IRFS3507 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFS3507PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢Power MOSFET |