IRFS3507TRRPBF

更新时间： 2024-01-24 09:38:13

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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IRFS3507TRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
雪崩能效等级（Eas）：	280 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	97 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0088 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	390 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFS3507TRRPBF 数据手册

PD - 96903A

IRFB3507

IRFS3507

IRFSL3507

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

V_DSS

R_DS(on)typ.

max.

75V

7.0m

8.8m

Benefits

I_D

97A

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

G D S

D²Pak

IRFS3507

TO-262

IRFSL3507

TO-220AB

IRFB3507

Absolute Maximum Ratings

Symbol

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Parameter

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current d

Max.

97c

Units

69c

390

P_D@T_C= 25°C

190

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

V_GS

± 20

Gate-to-Source Voltage

5.0

Peak Diode Recovery f

dv/dt

T_J

V/ns

°C

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

10lbxin (1.1Nxm)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy e

E_{AS (Thermally limited)}

280

Avalanche Currentꢀc

I_AR

See Fig. 14, 15, 16a, 16b

Repetitive Avalanche Energy g

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.77

–––

Units

R_θJC

Junction-to-Case k

R_θCS

R_θJA

0.50

–––

°C/W

Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220

Junction-to-Ambient, TO-220 k

–––

Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D Pak

www.irf.com

11/04/04

12 3 4 5 6 7...11

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与IRFS3507TRRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFS350A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
IRFS351	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 10.4A I(D) \| SOT-186VAR
IRFS352	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFS353	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFS3607	INFINEON	获取价格	75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRFS3607PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFS3607TRLPBF	INFINEON	获取价格	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS3607TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS3806	INFINEON	获取价格	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRFS3806PBF	INFINEON	获取价格	HEXFETPower MOSFET

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