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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PF |
| 包装说明： | TO-3PF, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1134 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 92 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE2934 | NTE |
功能相似  |
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch |
|
| FQAF16N50 | FAIRCHILD |
功能相似 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS351 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
|
| IRFS352 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFS353 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFS3607 | INFINEON |
获取价格 |
75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 |
|
| IRFS3607PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFS3607TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS |
|
| IRFS3607TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS3806 | INFINEON |
获取价格 |
60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 |
|
| IRFS3806PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
|
| IRFS3806TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
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