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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3PF |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.31 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 980 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.32 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45.2 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQAF16N50 | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 500 V，11.3 A，320 mΩ，TO- |
|
| NTE2934 | NTE |
功能相似 |
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch |
|
| IRFS350A | FAIRCHILD |
功能相似 |
Advanced Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQAF17N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQAF17P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
|
| FQAF19N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQAF19N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQAF19N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQAF20N40 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-247VAR |
|
| FQAF22N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FQAF22P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
|
| FQAF26N30 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247VAR |
|
| FQAF27N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-CHANNEL MOSFET |
|
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