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FQAF6N90 PDF预览

FQAF6N90

更新时间： 2024-09-13 22:20:59
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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8页 764K
描述
900V N-Channel MOSFET

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FQAF6N90 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3PF包装说明：TO-3PF, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
雪崩能效等级（Eas）：710 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：1.9 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：96 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQAF6N90 数据手册

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FQAF6N90 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFZ44EPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET㈢ Power MOSFET
FQPF8N90C FAIRCHILD

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FQPF6N90 FAIRCHILD

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQAF70N08 FAIRCHILD

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FQAF7N90 FAIRCHILD

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FQAF85N06 FAIRCHILD

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FQAF8N80 FAIRCHILD

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 		800V N-Channel MOSFET
FQAF90N08 ROCHESTER

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 		56A, 80V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PF, 3 PIN
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