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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQAF90N08
FQAF90N08 PDF预览

FQAF90N08

更新时间： 2024-09-14 22:25:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 676K
描述
80V N-Channel MOSFET

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FQAF90N08 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3PF包装说明：TO-3PF, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1360 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：56 A
最大漏极电流 (ID)：56 A最大漏源导通电阻：0.016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：224 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQAF90N08 数据手册

 浏览型号FQAF90N08的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQAF90N08的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQAF90N08的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQAF90N08的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQAF90N08的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQAF90N08的Datasheet PDF文件第7页 
January 2001  
TM  
QFET  
FQAF90N08  
80V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand a high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for low voltage applications such as automotive,  
high efficiency switching for DC/DC converters, and DC  
motor control.  
•
•
•
•
•
•
•
56A, 80V, R  
= 0.016Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 84 nC)  
Low Crss ( typical 200 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
!
G
"
TO-3PF  
FQAF Series  
G
!
S
D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQAF90N08  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
80  
56  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
39.6  
224  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
1360  
56  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
10  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
100  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.67  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
1.5  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
--  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A1, January 2001  
12345678

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