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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQPF6N90
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FQPF6N90

更新时间： 2024-09-14 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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8页 681K
描述
900V N-Channel MOSFET

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FQPF6N90 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.14雪崩能效等级（Eas）：710 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.4 A
最大漏极电流 (ID)：3.4 A最大漏源导通电阻：1.9 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：56 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：13.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQPF6N90 数据手册

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FQPF6N90  
900V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supply.  
•
•
•
•
•
•
3.4A, 900V, R  
= 1.9Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 40 nC)  
Low Crss ( typical 17 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
!
G
"
TO-220F  
FQPF Series  
G D  
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQPF6N90  
900  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
3.4  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
2.1  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
13.6  
± 30  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
710  
mJ  
A
3.4  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.6  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
56  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.45  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.25  
62.5  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
--  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, December 2002  
12345678

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