5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 73 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.75 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 37 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF7N30 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220F |
|
| FQPF7N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N60 | KERSEMI |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N60 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，7.4 A，1 Ω，TO-220F |
|
| FQPF7N65C | FAIRCHILD |
获取价格 |
650V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N65C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，650 V，7 A，1.4 Ω，TO-220F |
|
| FQPF7N65CYDTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，650 V，7 A，1.4 Ω，TO-220F |
|
| FQPF7N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N80C | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
