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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.8 | 雪崩能效等级（Eas）： | 360 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQP33N10 | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，33 A，52 mΩ，TO-220 |
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| STD18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P |
|
| STD6N95K5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF7N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQPF7N60 | KERSEMI |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N60 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，7.4 A，1 Ω，TO-220F |
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| FQPF7N65C | FAIRCHILD |
获取价格 |
650V N-Channel MOSFET |
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| FQPF7N65C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，650 V，7 A，1.4 Ω，TO-220F |
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| FQPF7N65CYDTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，650 V，7 A，1.4 Ω，TO-220F |
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| FQPF7N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N80C | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N80C | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 6.6A, 1.9Ω |
|
| FQPF7P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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