5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> FQPF70N10
FQPF70N10 PDF预览

FQPF70N10

更新时间： 2024-11-05 22:07:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 627K
描述
100V N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQPF70N10 数据手册

 浏览型号FQPF70N10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQPF70N10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQPF70N10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQPF70N10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQPF70N10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQPF70N10的Datasheet PDF文件第7页 
August 2000  
TM  
QFET  
FQPF70N10  
100V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as audio amplifier,  
high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor  
control.  
•
•
•
•
•
•
•
35A, 100V, R  
= 0.023Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 85 nC)  
Low Crss ( typical 150 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
!
G
"
G D  
S
TO-220F  
FQPF Series  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQPF70N10  
100  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
35  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
24.7  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
140  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
1300  
35  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
6.2  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
62  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.41  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +175  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.42  
62.5  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
--  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. B, August 2000  
12345678

中文翻译

下载PDF

FQPF70N10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQPF55N10 FAIRCHILD

类似代替

 100V N-Channel MOSFET
STP80NF10FP STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A TO-220/TO-220
SSS70N10A FAIRCHILD

功能相似

 Advanced Power MOSFET

与FQPF70N10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQPF70N10_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQPF7N10 FAIRCHILD

获取价格

 		100V N-Channel MOSFET
FQPF7N10L FAIRCHILD

获取价格

 		100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQPF7N10L ROCHESTER

获取价格

 		5.5A, 100V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN
FQPF7N20 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
FQPF7N20L FAIRCHILD

获取价格

 		200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQPF7N30 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220F
FQPF7N40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQPF7N60 FAIRCHILD

获取价格

 		600V N-Channel MOSFET
FQPF7N60 KERSEMI

获取价格

 		600V N-Channel MOSFET

与FQPF70N10相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证