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STP80NF10FP

更新时间： 2024-09-26 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅PC局域网
页数 文件大小 规格书
9页 336K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A TO-220/TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET⑩II POWER MOSFET

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STP80NF10FP 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.68Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：180347
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：TO-220FP_1
Samacsys Released Date：2015-11-03 12:30:39Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：350 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：37 A最大漏极电流 (ID)：38 A
最大漏源导通电阻：0.015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：152 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP80NF10FP 数据手册

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STP80NF10  
STP80NF10FP  
N-CHANNEL 100V - 0.012Ω - 80A TO-220/TO-220FP  
LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP80NF10  
STP80NF10FP  
100 V  
100 V  
< 0.015 Ω  
< 0.015 Ω  
80 A  
38 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.012Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET series realized with STMicro-  
electronics unique STripFET process has specifical-  
ly been designed to minimize input capacitance and  
gate charge. It is therefore suitable as primary  
switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC  
converters for Telecom and Computer application. It  
is also intended for any application with low gate  
charge drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP80NF10FP  
Unit  
STP80NF10  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
100  
100  
±20  
V
V
V
A
A
A
W
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
I (*)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
80  
66  
38  
27  
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
320  
300  
2
152  
45  
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
C
Derating Factor  
0.3  
W/°C  
V/ns  
mJ  
dv/dt (1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
9
E
360  
AS  
V
ISO  
-
2500  
V
T
stg  
– 55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤80A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
(2) Starting T = 25°C, I = 80A, V = 50V  
(*) Limited by Package  
j
D
DD  
September 2002  
1/9  
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STP80NF10FP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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STP80NF12FP STMICROELECTRONICS

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 		80A, 55V, 0.0065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TABLESS TO-220, I2PAK-3
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