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STP80NF55-06-1

更新时间： 2024-09-27 15:53:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 114K
描述
80A, 55V, 0.0065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TABLESS TO-220, I2PAK-3

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STP80NF55-06-1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67雪崩能效等级（Eas）：650 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.0065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP80NF55-06-1 数据手册

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STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP  
STB80NF55-06-1  
2
N-CHANNEL 55V - 0.005  
Ω
- 80A TO-220/TO-220FP/I PAK  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
STP80NF55-06/-1  
STP80NF55-06FP  
55 V  
55 V  
<0.0065Ω  
<0.0065Ω  
80 A  
60 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.005Ω  
DS  
3
2
1
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
TO-220  
TO-220FP  
3
2
1
■
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL  
2
I PAK  
(Tabless TO-220)  
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronics unique “Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting tran-  
sistor shows extremely high packing density for  
low on-resistance, rugged avalance characteris-  
tics and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC CONVERTERS  
■
■
■
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)80NF-06-1 STP80NF55-06FP  
V
Drain-source Voltage (V  
= 0)  
GS  
55  
55  
V
V
DS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
±20  
V
GS  
I
(1)  
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
80  
80  
320  
300  
2
60  
60  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
240  
50  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.33  
2500  
W/°C  
V
V
Insulation Winthstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
--  
ISO  
dv/dt  
7
V/ns  
T
stg  
– 55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) Current Limited by Package  
October 2001  
1/10  
1234567...10

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与STP80NF55-06-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP80NF55-06FP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP80NF55-07 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220
STP80NF55-08 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/
STP80NF55L-06 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 55V - 0.005 ohm - 80A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP80NF55L-08 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PA
STP80NF70 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STrip
STP80NF75L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 75V - 0.008 ohm - 80A TO-220/D2PAK/
STP80NS04Z STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL CLAMPED 7.5mohm - 80A - TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
STP80NS04ZB STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL CLAMPED 7.5mohm - 80A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
STP80PF55 STMICROELECTRONICS

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 		P-CHANNEL 55V - 0.016 ohm - 80A TO-220 STripF

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