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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FREDFET |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 510 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 140 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 150 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP8N50XI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | SOT-186VAR |
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| STP8N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh⢠V Pow |
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| STP8N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in TO-220 and IPA |
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| STP8N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
|
| STP8NA50 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP8NA50FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP8NC50 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP/ |
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| STP8NC50FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP/ |
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| STP8NC60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/TO-220FP |
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| STP8NC60FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/TO-220FP |
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