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STP8NS25

更新时间： 2024-11-20 22:24:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 331K
描述
N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET

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STP8NS25 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.45 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP8NS25 数据手册

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STP8NS25  
STP8NS25FP  
N-CHANNEL 250V - 0.38Ω - 8A TO-220/TO-220FP  
MESH OVERLAY™ MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP8NS25  
STP8NS25FP  
250 V  
250 V  
< 0.45 Ω  
< 0.45 Ω  
8 A  
8 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.38 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
TO-220  
TO-220FP  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performance. The new patented STrip layout cou-  
pled with the Company’s proprietary edge termina-  
tion structure, makes it suitable in coverters for  
lighting applications.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP8NS25  
STP8NS25FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
250  
250  
± 20  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
8
5
8(*)  
5(*)  
32(*)  
30  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
32  
80  
0.64  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.24  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
5
V
-
2000  
ISO  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1) I ≤ 8A, di/dt≤300 A/µs, V ≤ V  
(*)Limited only by maximum temperature allowed  
, Tj≤T  
jMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
April 2001  
1/9  
1234567...9

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与STP8NS25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP8NS25FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP
STP90N15F4 STMICROELECTRONICS

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 		90A, 150V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
STP90N4F3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 40V - 5.4mヘ - 80A - DPAK - TO-220 -
STP90N55F4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 55 V, 0.0064 Ohm, 90 A TO-220 Power MOSFET
STP90NF03L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A TO-220/I2PAK
STP90NF03L_05 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.0056ヘ -90A TO-220/I2PAK Low
STP90NF03L-1 STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,90A I(D),TO-220AB
STP90NS04ZC STMICROELECTRONICS

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 		N-channel clamped 5mΩ - 80A TO-220 Fully prot
STP9235 STANSON

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STP9434 STANSON

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