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STP95N3LLH6

更新时间: 2024-09-30 12:29:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
18页 936K
描述
N-channel 30 V, 0.0037 Ω , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

STP95N3LLH6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:8.58
雪崩能效等级(Eas):150 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.0075 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):70 W最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

STP95N3LLH6 数据手册

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STB95N3LLH6, STD95N3LLH6  
STP95N3LLH6, STU95N3LLH6  
N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220  
STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET  
Features  
Type  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
3
1
3
STB95N3LLH6  
STD95N3LLH6  
STP95N3LLH6  
STU95N3LLH6  
30 V  
30 V  
30 V  
30 V  
0.0042 Ω  
0.0042 Ω  
0.0042 Ω  
0.0047 Ω  
80 A  
80 A  
80 A  
80 A  
2
DPAK  
1
IPAK  
R  
* Q industry benchmark  
g
DS(on)  
3
Extremely low on-resistance R  
High avalanche ruggedness  
Low gate drive power losses  
1
DS(on)  
3
2
1
D²PAK  
TO-220  
Application  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Switching applications  
D (TAB or 2)  
Description  
This product utilizes the 6th generation of design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology,  
with a new gate structure.The resulting Power  
G(1)  
MOSFET exhibits the lowest R  
packages.  
in all  
DS(on)  
S(3)  
AM01474v1  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STB95N3LLH6  
STD95N3LLH6  
STP95N3LLH6  
STU95N3LLH6  
95N3LLH6  
95N3LLH6  
95N3LLH6  
95N3LLH6  
PAK  
DPAK  
TO-220  
IPAK  
Tape and reel  
Tape and reel  
Tube  
Tube  
November 2009  
Doc ID 15228 Rev 3  
1/18  
www.st.com  
18  

STP95N3LLH6 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP18N55M5 STMICROELECTRONICS

类似代替

N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STP19NM50N STMICROELECTRONICS

类似代替

N-channel 500 V, 0.2 ohm, 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247
STP13NM60N STMICROELECTRONICS

类似代替

N-channel 600 V, 0.28 ohm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I2PAK, TO-220, IP

与STP95N3LLH6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP95N4F3 STMICROELECTRONICS

获取价格

N-channel 40V - 5.4mOHM - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK STripFET TM Power MOSFET
STP9N30 ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220AB
STP9N60M2 STMICROELECTRONICS

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N沟道600 V、0.72 Ohm典型值、5.5 A MDmesh M2功率MOSFET,
STP9N65M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道650 V、0.79 Ohm典型值、5 A MDmesh M2功率MOSFET,TO
STP9N80K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道800 V、0.73 Ohm典型值、7 A MDmesh K5功率MOSFET,TO
STP9NA50 STMICROELECTRONICS

获取价格

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP9NA50FI STMICROELECTRONICS

获取价格

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP9NB50 STMICROELECTRONICS

获取价格

N-CHANNEL 500V - 0.75 ohm - 8.6 A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET
STP9NB50FP STMICROELECTRONICS

获取价格

N-CHANNEL 500V - 0.75 ohm - 8.6 A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET
STP9NB60 STMICROELECTRONICS

获取价格

N - CHANNEL 600V - 0.7ohm - 9A TO-220/TO220FP PowerMESH MOSFET