是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | TO-220, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 350 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 7.5 A | 最大漏源导通电阻: | 1.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STP9NK90Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 900V - 1.1W - 8A TO-220/TO-220FP/TO |
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STP9NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500V - 0.47Ω - 7.5A - TO-220 - TO-2 |
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STP9NM60 | ETC |
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N-CHANNEL 600V 0.55 OHM 8.3A TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH POWER MOSFET |
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STP9NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.63 ohm, 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh ll Power MOSFET |
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STPA001 | ETC |
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power amplifiers moving to the green zone |
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STPA001 | STMICROELECTRONICS |
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低压操作、高音质四路BTL输出功率放大器,支持待机和静音输入以及片段和偏移检测 |
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STPA002 | ETC |
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power amplifiers moving to the green zone |
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STPA002 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
低压操作、高音质四路BTL输出功率放大器,支持待机和静音输入以及片段和偏移检测 |
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STPA003 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
低压操作高音质BTL输出功率放大器,具有出色的GSM抗噪性,支持片段和偏移检测 |
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STPA008 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 x 50 W MOSFET quad bridge power amplifier |
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