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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 350 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP9NK90Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V - 1.1W - 8A TO-220/TO-220FP/TO |
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| STP9NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500V - 0.47Ω - 7.5A - TO-220 - TO-2 |
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| STP9NM60 | ETC |
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N-CHANNEL 600V 0.55 OHM 8.3A TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH POWER MOSFET |
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| STP9NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.63 ohm, 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh ll Power MOSFET |
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| STPA001 | ETC |
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power amplifiers moving to the green zone |
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| STPA001 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
低压操作、高音质四路BTL输出功率放大器，支持待机和静音输入以及片段和偏移检测 |
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| STPA002 | ETC |
获取价格 |
power amplifiers moving to the green zone |
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| STPA002 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
低压操作、高音质四路BTL输出功率放大器，支持待机和静音输入以及片段和偏移检测 |
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| STPA003 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
低压操作高音质BTL输出功率放大器，具有出色的GSM抗噪性，支持片段和偏移检测 |
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| STPA008 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 x 50 W MOSFET quad bridge power amplifier |
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