是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | TO-220, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 43 weeks 2 days |
风险等级: | 7.93 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 115 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9 A |
最大漏极电流 (ID): | 6.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.745 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 100 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 26 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQP12N60C | FAIRCHILD |
功能相似 |
FQP12N60C/FQPF12N60C | |
FQP10N60C | FAIRCHILD |
功能相似 |
600V N-Channel MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STPA001 | ETC |
获取价格 |
power amplifiers moving to the green zone | |
STPA001 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
低压操作、高音质四路BTL输出功率放大器,支持待机和静音输入以及片段和偏移检测 | |
STPA002 | ETC |
获取价格 |
power amplifiers moving to the green zone | |
STPA002 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
低压操作、高音质四路BTL输出功率放大器,支持待机和静音输入以及片段和偏移检测 | |
STPA003 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
低压操作高音质BTL输出功率放大器,具有出色的GSM抗噪性,支持片段和偏移检测 | |
STPA008 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 x 50 W MOSFET quad bridge power amplifier | |
STPA008-48X | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 x 50 W MOSFET quad bridge power amplifier | |
STPA008-4WX | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 x 50 W MOSFET quad bridge power amplifier | |
STPA008-QIX | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 x 50 W MOSFET quad bridge power amplifier | |
STPA008ZS | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 x 50 W MOSFET quad bridge power amplifier |