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STP9NC60FP

更新时间： 2024-02-19 00:34:33
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 111K
描述
N - CHANNEL 600V - 0.6ohm - 9A TO-220/TO-220FP PowerMESHII MOSFET

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STP9NC60FP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220FP, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.66
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：850 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.2 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.75 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP9NC60FP 数据手册

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STP9NC60  
STP9NC60FP  
N - CHANNEL 600V - 0.6Ω - 9A TO-220/TO-220FP  
PowerMESH ΙΙ MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP9NC60  
STP9NC60FP  
600 V  
600 V  
< 0.75 Ω  
< 0.75 Ω  
9.0 A  
5.2 A  
ν
ν
ν
ν
ν
TYPICAL RDS(on) = 0.6 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
The PowerMESH II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY . The layout  
refinements introduced greatly improve the  
Ron*area figure of merit while keeping the device  
at the leading edge for what concerns switching  
speed, gate charge and ruggedness.  
TO-220  
TO-220FP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
ν
ν
ν
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVER  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP9NC60FP  
Unit  
STP9NC60  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
600  
600  
± 30  
V
V
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
9.0  
5.7  
36  
5.2  
3.3  
A
ID  
A
IDM(• )  
Ptot  
36  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
125  
1.0  
4.5  
40  
W
Derating Factor  
0.32  
4.5  
W/oC  
V/ns  
V
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
2000  
-65 to 150  
150  
oC  
oC  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 9A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/9  
February 2000  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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