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STP8NC60

更新时间： 2024-11-20 22:24:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 328K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET

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STP8NC60 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.66Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP8NC60 数据手册

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STP8NC60  
STP8NC60FP  
N-CHANNEL 600V - 0.85Ω - 7A TO-220/TO-220FP  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP8NC60  
STP8NC60FP  
600 V  
600 V  
< 1.0 Ω  
< 1.0 Ω  
7 A  
7 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.85Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
TO-220  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP8NC60  
STP8NC60FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
600  
600  
±30  
V
V
V
A
A
A
W
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
7
7 (*)  
4.4 (*)  
28 (*)  
30  
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
4.4  
28  
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
125  
1.0  
C
Derating Factor  
0.24  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
3.5  
V
-
2500  
ISO  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
°C  
j
(1)I ≤7A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(*) Limited only by maximum temperature allowed  
July 2001  
1/9  
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与STP8NC60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP8NC60FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/TO-220FP
STP8NC70Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 0.90ohm - 6.8A TO-220/FP/D2P
STP8NC70ZFP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 0.90ohm - 6.8A TO-220/FP/D2P
STP8NK100Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 1000V - 1.60OHM - 6.5A - TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH TM MOSFET
STP8NK80Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.2A TO-220/TO-220F
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 		N-channel 800V - 1.3ヘ - 6.2A - TO-220 /TO-220
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 		N-CHANNEL 850V -1.1ohm - 6.7A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STP8NM50 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP
STP8NM50_06 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 550V @ Tjmax - 0.7ヘ - 8A - TO-220 -

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