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STP8NM50FP

更新时间： 2024-09-27 22:24:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 331K
描述
N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP MDmesh⑩Power MOSFET

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STP8NM50FP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220FP, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP8NM50FP 数据手册

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STP8NM50  
STP8NM50FP  
N-CHANNEL 500V - 0.7Ω - 8A TO-220/TO-220FP  
MDmesh™Power MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP8NM50  
STP8NM50FP  
500V  
500V  
< 0.8Ω  
< 0.8Ω  
8 A  
8 A  
TYPICAL R (on) = 0.7Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
3
3
2
2
1
1
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
TO-220  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH™ horizontal  
layout. The resulting product has an outstanding low  
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent  
avalanche characteristics. The adoption of the  
Company’s proprietary strip technique yields overall  
dynamic performance that is significantly better than  
that of similar competition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
power density of high voltage converters allowing  
system miniaturization and higher efficiencies.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP8NM50  
STP8NM50FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
500  
500  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
5
5 (*)  
3.1 (*)  
20 (*)  
30  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
3.1  
20  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
120  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.4  
15  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Winthstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
V
ISO  
--  
2500  
T
stg  
–65 to 150  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(*)Limited only by maximum temperature allowed  
August 2002  
1/9  
1234567...9

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STP8NM50FP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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