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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
10页 | 378K | |
描述 | ||
N-CHANNEL 55V - 0.0062 ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 1.51 | 雪崩能效等级(Eas): | 980 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.008 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
HUF75345P3 | FAIRCHILD |
功能相似 |
75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STP85NF55L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 55V - 0.0060 ohm - 80A D2PAK/TO-220 | |
STP8A60 | SEMIWELL |
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Bi-Directional Triode Thyristor | |
STP8N10 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB | |
STP8N10L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8A, 100V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | |
STP8N120K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,T | |
STP8N50D | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | |
STP8N50XI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | SOT-186VAR | |
STP8N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh⢠V Pow | |
STP8N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in TO-220 and IPA | |
STP8N90K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET,TO |