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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 32 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 65 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP8N120K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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| STP8N50D | STMICROELECTRONICS |
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8A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| STP8N50XI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | SOT-186VAR |
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| STP8N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh⢠V Pow |
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| STP8N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in TO-220 and IPA |
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| STP8N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
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| STP8NA50 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP8NA50FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP8NC50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP/ |
|
| STP8NC50FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP/ |
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