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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 85 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 85 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0186 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 340 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP85N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30 V, 0.0042 Ω , 80 A, DPAK, TO-220 |
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| STP85NF3LL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.006ohm - 85A TO-220/I2PAK L |
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| STP85NF55 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 55V - 0.0062 ohm - 80A D2PAK/TO-220 |
|
| STP85NF55L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 55V - 0.0060 ohm - 80A D2PAK/TO-220 |
|
| STP8A60 | SEMIWELL |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
|
| STP8N10 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
|
| STP8N10L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8A, 100V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| STP8N120K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
|
| STP8N50D | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| STP8N50XI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | SOT-186VAR |
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