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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP80NF55-06FP
STP80NF55-06FP PDF预览

STP80NF55-06FP

更新时间： 2024-11-20 22:29:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 51K
描述
N - CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

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STP80NF55-06FP 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.68Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.0065 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP80NF55-06FP 数据手册

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STP80NF55-06  
STP80NF55-06FP  
N - CHANNEL 55V - 0.005  
Ω
- 80A TO-220/TO-220FP  
STripFET POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP80NF55-06  
STP80NF55-06FP 55 V < 0.0065  
55 V < 0.0065 Ω  
80 A  
60 A  
Ω
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.005  
Ω
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
2
DESCRIPTION  
1
1
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalance characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
TO-220  
TO-220FP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP80NF55-06 STP55NF55-06FP  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
55  
55  
V
V
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
20  
V
±
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
80  
57  
60  
42  
A
ID  
A
IDM( )  
320  
210  
1.43  
240  
50  
A
•
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.33  
2000  
VISO  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
7
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 80 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/6  
July 1999  
123456

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STP80NF55-06FP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF3205ZPBF INFINEON

功能相似

 AUTOMOTIVE MOSFET

与STP80NF55-06FP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP80NF55-07 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220
STP80NF55-08 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/
STP80NF55L-06 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 55V - 0.005 ohm - 80A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP80NF55L-08 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PA
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