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STP80NF55L-08

更新时间： 2024-11-20 22:17:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 322K
描述
N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STP80NF55L-08 数据手册

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STP80NF55L-08  
STB80NF55L-08  
N-CHANNEL 55V - 0.0065Ω - 80A - TO-220/D2PAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP80NF55L-08  
STB80NF55L-08  
55 V  
55 V  
0.008Ω  
0.008Ω  
80 A  
80 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0065Ω  
LOW THRESHOLD DRIVE  
LOGIC LEVEL DEVICE  
DS  
3
3
1
2
1
2
TO-220  
D PAK  
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronics unique “Single Feature  
Size™” strip-based process. The resulting tran-  
sistor shows extremely high packing density for  
low on-resistance, rugged avalance characteris-  
tics and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
55  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
55  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
80  
V
GS  
I
I
(1)  
(1)  
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
D
C
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
80  
A
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
320  
300  
2
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
°C  
°C  
dv/dt (2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
15  
E
(3)  
870  
–55 to 175  
175  
AS  
T
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) Current Limited by Package  
(2) I ≤80A, di/dt ≤500A/µs, V =40V T ≤ T  
JMAX.  
SD  
DD  
j
(3) Starting T =25°C, I =40A, V =40V  
j
D
DD  
April 2003  
1/8  
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STP80NF55L-08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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