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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.31 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 450 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 210 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP80N06S2L-07 | INFINEON |
功能相似  |
OptiMOS Power-Transistor |
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| IPP80N06S2L-09 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| IPP120N06NG | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP80N06S2L-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPP80N06S2L-11 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPP80N06S2L-11 | ROCHESTER |
获取价格 |
80A, 55V, 0.0147ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
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| SPP80N06S2L-H5 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPP80N08S2-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPP80N08S2L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPP80N10L | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
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| SPP80P06P | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
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| SPP80P06P H | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| SPP80P06PG | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOSÒ Power-Transistor Features Enhancement |
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