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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 73 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.69 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 37 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 19.2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQP17P06 | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-17 A，120 mΩ，TO-22 |
|
| STD18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P |
|
| STD6N95K5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF7N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N30 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220F |
|
| FQPF7N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N60 | KERSEMI |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N60 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，7.4 A，1 Ω，TO-220F |
|
| FQPF7N65C | FAIRCHILD |
获取价格 |
650V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF7N65C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，650 V，7 A，1.4 Ω，TO-220F |
|
| FQPF7N65CYDTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，650 V，7 A，1.4 Ω，TO-220F |
|
| FQPF7N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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