是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220F | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 120 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.55 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 22 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FQPF8N60C | KERSEMI | 600V N-Channel MOSFET |
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FQPF8N60C | ONSEMI | 功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,7.5 A,1.2 Ω,TO-220 |
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FQPF8N60C | FAIRCHILD | 600V N-Channel MOSFET |
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FQPF8N60CF | FAIRCHILD | 600V N-Channel MOSFET |
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FQPF8N60CFT | FAIRCHILD | 600V N-Channel MOSFET |
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FQPF8N60CFT | ONSEMI | N 沟道 QFET® FRFET® MOSFET 600V, 6.26A, 1.5Ω |
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