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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 7.94 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 560 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.69 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20.8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF85N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQPF85N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，60 V，53 A，10 mΩ，TO-220F |
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| FQPF8N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF8N60C | KERSEMI |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF8N60C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，7.5 A，1.2 Ω，TO-220 |
|
| FQPF8N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQPF8N60CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF8N60CFT | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF8N60CFT | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® FRFET® MOSFET 600V, 6.26A, 1.5Ω |
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| FQPF8N60CT_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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