是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 1.5 |
Samacsys Confidence: | 3 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 1892260 | Samacsys Pin Count: | 3 |
Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category: | Transistor Outline, Vertical |
Samacsys Footprint Name: | 10DL2CZ47A(F) | Samacsys Released Date: | 2019-09-22 03:27:09 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | FAST SWITCHING |
雪崩能效等级(Eas): | 212 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 650 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7 A | 最大漏极电流 (ID): | 7 A |
最大漏源导通电阻: | 1.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 52 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 28 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQPF7N65CYDTU | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,650 V,7 A,1.4 Ω,TO-220F | |
FQPF7N80 | FAIRCHILD |
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800V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N80C | FAIRCHILD |
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800V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N80C | ONSEMI |
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N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 6.6A, 1.9Ω | |
FQPF7P06 | FAIRCHILD |
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60V P-Channel MOSFET | |
FQPF7P20 | FAIRCHILD |
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200V P-Channel MOSFET | |
FQPF7P20 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-200 V,-5.2 A,690 mΩ,TO- | |
FQPF85N06 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET | |
FQPF85N06 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,60 V,53 A,10 mΩ,TO-220F | |
FQPF8N25 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |