是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220F | 包装说明: | TO-220F, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.62 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 580 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.8 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.8 A |
最大漏源导通电阻: | 1.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 56 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 15.2 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQPF7N80C | FAIRCHILD |
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800V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N80C | ONSEMI |
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N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 6.6A, 1.9Ω | |
FQPF7P06 | FAIRCHILD |
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60V P-Channel MOSFET | |
FQPF7P20 | FAIRCHILD |
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200V P-Channel MOSFET | |
FQPF7P20 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-200 V,-5.2 A,690 mΩ,TO- | |
FQPF85N06 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET | |
FQPF85N06 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,60 V,53 A,10 mΩ,TO-220F | |
FQPF8N25 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
FQPF8N60C | KERSEMI |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQPF8N60C | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,7.5 A,1.2 Ω,TO-220 |