是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220F | 包装说明: | TO-220F, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.63 |
雪崩能效等级(Eas): | 50 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 5.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.35 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 23 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 22 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQP17P06 | ONSEMI |
功能相似 |
功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-17 A,120 mΩ,TO-22 | |
STD60NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 60V - 0.014ohm - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET | |
STD6N95K5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQPF7N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF7N10L | ROCHESTER |
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5.5A, 100V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | |
FQPF7N20 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF7N30 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220F | |
FQPF7N40 | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N60 | KERSEMI |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N60 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,7.4 A,1 Ω,TO-220F | |
FQPF7N65C | FAIRCHILD |
获取价格 |
650V N-Channel MOSFET |