生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 雪崩能效等级(Eas): | 1300 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 35 A |
最大漏源导通电阻: | 0.023 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 140 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQPF7N10 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N10L | FAIRCHILD |
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100V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF7N10L | ROCHESTER |
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5.5A, 100V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | |
FQPF7N20 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N20L | FAIRCHILD |
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200V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF7N30 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220F | |
FQPF7N40 | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N60 | KERSEMI |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N60 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,7.4 A,1 Ω,TO-220F |