是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220F | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 1150 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 43.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 43.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.017 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 174.4 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQPF90N08 | FAIRCHILD |
功能相似 |
80V N-Channel MOSFET | |
FQPF58N08 | FAIRCHILD |
功能相似 |
80V N-Channel MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQPF70N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET | |
FQPF70N10 | ONSEMI |
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N 沟道 QFET® MOSFET 100V,35A,23mΩ | |
FQPF70N10_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FQPF7N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N10L | FAIRCHILD |
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100V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF7N10L | ROCHESTER |
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5.5A, 100V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | |
FQPF7N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET | |
FQPF7N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF7N30 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220F | |
FQPF7N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |