5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFZ44EPBF
IRFZ44EPBF PDF预览

IRFZ44EPBF

更新时间： 2024-09-15 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 147K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFZ44EPBF 数据手册

 浏览型号IRFZ44EPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ44EPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFZ44EPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFZ44EPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ44EPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFZ44EPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 94822  
IRFZ44EPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
ꢁ Advanced Process Technology  
ꢁ Dynamic dv/dt Rating  
ꢁ 175°C Operating Temperature  
ꢁ Fast Switching  
D
VDSS = 60V  
RDS(on) = 0.023Ω  
ꢁ Fully Avalanche Rated  
ꢁ Lead-Free  
G
ID = 48A  
S
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with  
an extremelyefficient and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial  
applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low  
thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current ꢀꢀ  
48  
34  
A
192  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
110  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.71  
± 20  
220  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energyꢁ  
Avalanche Currentꢀ  
mJ  
A
29  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energyꢀ  
Peak Diode Recovery dv/dt ꢂ  
Operating Junction and  
11  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.4  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
11/10/03  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRFZ44EPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFZ34EPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFZ44E INFINEON

类似代替

 Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)
FQP50N06L FAIRCHILD

功能相似

 60V LOGIC N-Channel MOSFET

与IRFZ44EPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ44ES INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)
IRFZ44ESPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFZ44ESTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ44ESTRLPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRFZ44ESTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ44ESTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ44F INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IRFZ44FX INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IRFZ44FXPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IRFZ44L VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET

与IRFZ44EPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证