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IRFZ44EPBF

更新时间： 2024-11-21 04:23:15
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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PD - 94822  
IRFZ44EPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
ꢁ Advanced Process Technology  
ꢁ Dynamic dv/dt Rating  
ꢁ 175°C Operating Temperature  
ꢁ Fast Switching  
D
VDSS = 60V  
RDS(on) = 0.023Ω  
ꢁ Fully Avalanche Rated  
ꢁ Lead-Free  
G
ID = 48A  
S
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with  
an extremelyefficient and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial  
applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low  
thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current ꢀꢀ  
48  
34  
A
192  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
110  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.71  
± 20  
220  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energyꢁ  
Avalanche Currentꢀ  
mJ  
A
29  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energyꢀ  
Peak Diode Recovery dv/dt ꢂ  
Operating Junction and  
11  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.4  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
11/10/03  
12345678

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 		暂无描述
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