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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQP50N06L
FQP50N06L PDF预览

FQP50N06L

更新时间： 2024-09-07 22:25:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
8页 649K
描述
60V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQP50N06L 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.29
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：167482Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：to 220Samacsys Released Date：2019-09-01 12:43:19
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：990 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：52.4 A最大漏极电流 (ID)：52.4 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：121 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：210 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQP50N06L 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQP50N06L  
60V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, DC/  
DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
•
•
52.4A, 60V, R  
= 0.021Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 24.5 nC)  
Low Crss ( typical 90 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
"
G !  
G
D
TO-220  
FQP Series  
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP50N06L  
60  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
52.4  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
37.1  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
210  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
990  
mJ  
A
AS  
52.4  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
12.1  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
7.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
121  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.81  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +175  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
1.24  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.5  
--  
62.5  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1. May 2001  
12345678

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FQP50N06L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP60NF06L STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220
STP60NF06 STMICROELECTRONICS

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 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220

与FQP50N06L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP50N06LJ69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 52.4A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQP55N06 FAIRCHILD

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 		60V N-Channel MOSFET
FQP55N06J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQP55N10 FAIRCHILD

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FQP55N10 THINKISEMI

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FQP58N08J69Z FAIRCHILD

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获取价格

 		150V N-CHANNEL MOSFET

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