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FQP55N06

更新时间： 2024-09-07 22:17:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 662K
描述
60V N-Channel MOSFET

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FQP55N06 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
雪崩能效等级（Eas）：545 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A
最大漏极电流 (ID)：55 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：133 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP55N06 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQP55N06  
60V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, DC/  
DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
•
•
55A, 60V, R  
= 0.020Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 35 nC)  
Low Crss ( typical 85 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
"
G !  
G
D
TO-220  
FQP Series  
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP55N06  
60  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
55  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
38.9  
220  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
545  
mJ  
A
AS  
55  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
13.3  
7.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
133  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.89  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
1.13  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.5  
--  
62.5  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1. May 2001  
12345678

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FQP55N06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STP120NF10 STMICROELECTRONICS

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 N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220

与FQP55N06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP55N06J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQP55N10 FAIRCHILD

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 		100V N-Channel MOSFET
FQP55N10 THINKISEMI

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FQP55N10 ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，55 A，26 mΩ，TO-220
FQP55N10J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQP58N08 FAIRCHILD

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 		80V N-Channel MOSFET
FQP58N08J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 57.5A I(D), 80V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQP5N15 FAIRCHILD

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 		150V N-CHANNEL MOSFET
FQP5N20 FAIRCHILD

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 		200V N-Channel MOSFET
FQP5N20J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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