是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | TO-220, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.64 | 雪崩能效等级(Eas): | 290 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 400 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 4.5 A |
最大漏源导通电阻: | 1.6 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQP6N90C | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,6 A,2.3 Ω,TO-220 |
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FQP6N80C | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,800 V,5.5 A,2.5 Ω,TO-220 |
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SPA04N80C3 | INFINEON |
功能相似 ![]() |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQP5N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N CHANNEL MOSFET |
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FQP5N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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FQP5N50C | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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FQP5N50C_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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FQP5N50C-F080 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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FQP5N50C-F105 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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FQP5N50J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQP5N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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FQP5N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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FQP5N60C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,4.5 A,2.5 Ω,TO-220 |
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