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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.22 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 162 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 78 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP630J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FQP630TSTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQP65N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQP65N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，60 V，65 A，16 mΩ，TO-220 |
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| FQP65N06J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP6N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQP6N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V n-Channel MOSFET |
|
| FQP6N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQP6N40C | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQP6N40C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400 V，6 A，1.0 Ω，TO-220 |
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