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FQP10N20C

更新时间： 2024-09-27 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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10页 876K
描述
200V N-Channel MOSFET

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FQP10N20C 数据手册

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TM  
QFET  
FQP10N20C/FQPF10N20C  
200V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, DC-AC converters for  
uninterrupted power supplies and motor controls.  
•
•
•
•
•
•
9.5A, 200V, R  
= 0.36Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 20 nC)  
Low Crss ( typical 40.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-220F  
FQPF Series  
TO-220  
FQP Series  
G D  
S
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP10N20C  
FQPF10N20C  
200  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
9.5  
6.0  
38  
9.5 *  
6.0 *  
38 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
210  
9.5  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
7.2  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
72  
38  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.57  
0.3  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP10N20C  
1.74  
FQPF10N20C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
3.33  
--  
θJC  
0.5  
θJS  
62.5  
62.5  
θJA  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, March 2003  
1234567...10

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FQP10N20C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQP630 FAIRCHILD

类似代替

 200V N-Channel MOSFET
IRF630 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET

与FQP10N20C相关器件

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