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FQP10N50CF

更新时间： 2024-11-16 03:37:43

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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描述
500V N-Channel MOSFET

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FQP10N50CF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
其他特性：	FAST SWITCHING	雪崩能效等级（Eas）：	388 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.61 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	143 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FQP10N50CF 数据手册

December 2006

FRFET

FQP10N50CF / FQPF10N50CF

500V N-Channel MOSFET

Features

Description

•

10A, 500V, R_DS(on)= 0.61 Ω @V_GS= 10 V

Low gate charge (typical 43 nC)

Low Crss (typical 16pF)

Fast switching

These N-Channel enhancement mode power field effect transis-

tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,

DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to mini-

mize on-state resistance, provide superior switching perfor-

mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and

commutation mode. These devices are well suited for high effi-

cient switched mode power supplies and active power factor

correction.

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

Fast recovery body diode

TO-220F

FQPF Series

TO-220

FQP Series

G D S

D S

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_DSS

Parameter

FQP10N50CF FQPF10N50CF

Unit

Drain-Source Voltage

Drain Current

500

I_D

- Continuous (T_C= 25°C)

- Continuous (T_C= 100°C)

6.35

10*

6.35*

40*

(Note 1)

I_DM

Drain Current

- Pulsed

V_GSS

E_AS

I_AR

Gate-Source voltage

± 30

388

(Note 2)

(Note 1)

(Note 3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

P_D

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

14.3

4.5

V/ns

Power Dissipation

(T_C= 25°C)

143

- Derate above 25°C

1.14

0.38

W/°C

°C

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

300

Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,

1/8” from Case for 5 Seconds

°C

*Drain current limited by maximum junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

R_θJC

Parameter

FQP10N50CF FQPF10N50CF

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

0.87

62.5

2.58

62.5

R_θJA

FQP10N50CF / FQPF10N50CF Rev. A

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FQP11N50CF	FAIRCHILD	功能相似	500V N-Channel MOSFET

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FQP10N60	TGS	获取价格	600V N-Channel MOSFET
FQP10N60C	ONSEMI	获取价格	N-Channel QFET® MOSFET 600V, 9.5A, 730mΩ, TO-220 3L, 1000-RAIL
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FQP10N60C_07	FAIRCHILD	获取价格	600V N-Channel MOSFET
FQP10N60C_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQP10N60CF	FAIRCHILD	获取价格	600V N-Channel MOSFET
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