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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 520 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 46 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP11N50CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQP11P06 | FAIRCHILD |
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60V P-Channel MOSFET |
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| FQP11P06 | ONSEMI |
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功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-11.4 A，175 mΩ，TO- |
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| FQP11P06J69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 60V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| FQP12N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQP12N20J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FQP12N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQP12N20LJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FQP12N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQP12N60 | TGS |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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