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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 870 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.65 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP12N60C_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQP12N60J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQP12P10 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-100 V，-11.5 A，290 mΩ，TO |
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| FQP12P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
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| FQP12P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
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| FQP12P20 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-11.5 A，470 mΩ，TO |
|
| FQP12P20_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| FQP12P20J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| FQP13N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQP13N06_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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