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FQP12N60J69Z

更新时间： 2024-11-16 14:50:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 532K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN

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FQP12N60J69Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：790 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：10.5 A最大漏源导通电阻：0.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQP12N60J69Z 数据手册

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April 2000  
TM  
QFET  
FQP12N60  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supply.  
•
•
•
•
•
•
10.5A, 600V, R  
= 0.7 Ω @ V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 42 nC)  
Low Crss ( typical 25 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
"
G !  
G
D
TO-220  
FQP Series  
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
ꢀꢀ  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP12N60  
600  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
10.5  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
6.7  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
42  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
±ꢀ30  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
790  
mJ  
A
AS  
10.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
18  
mJ  
AR  
dv/dt  
4.5  
Vꢀns  
W
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
180  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.43  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8ꢁ from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
Units  
°CꢁW  
°CꢁW  
°CꢁW  
R
R
R
0.7  
--  
θ
θ
θ
JC  
CS  
JA  
0.5  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, April 2000  
12345678

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