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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 雪崩能效等级（Eas）： | 810 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.47 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 46 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP12P20J69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| FQP13N06 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET |
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| FQP13N06_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQP13N06J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQP13N06L | FAIRCHILD |
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60V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQP13N06L | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，13.6 A，110 mΩ， |
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| FQP13N10 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET |
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| FQP13N10 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，12.8 A，180 mΩ，TO-2 |
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| FQP13N10J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FQP13N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET |
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