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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.73 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 810 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.47 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 46 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDP8860 | FAIRCHILD |
类似代替  |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| STP60NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F |
|
| STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP12P20_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| FQP12P20J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| FQP13N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQP13N06_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP13N06J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP13N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQP13N06L | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，13.6 A，110 mΩ， |
|
| FQP13N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQP13N10 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，12.8 A，180 mΩ，TO-2 |
|
| FQP13N10J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
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