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FQP12P20 PDF预览

FQP12P20

更新时间: 2024-11-15 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 753K
描述
200V P-Channel MOSFET

FQP12P20 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.73
雪崩能效等级(Eas):810 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):11.5 A
最大漏极电流 (ID):11.5 A最大漏源导通电阻:0.47 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):46 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQP12P20 数据手册

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FQP12P20 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDP8860 FAIRCHILD

类似代替

N-Channel PowerTrench MOSFET
STP60NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220

与FQP12P20相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP12P20_NL FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
FQP12P20J69Z FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
FQP13N06 FAIRCHILD

获取价格

60V N-Channel MOSFET
FQP13N06_NL FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQP13N06J69Z FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQP13N06L FAIRCHILD

获取价格

60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP13N06L ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,13.6 A,110 mΩ,
FQP13N10 FAIRCHILD

获取价格

100V N-Channel MOSFET
FQP13N10 ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,100 V,12.8 A,180 mΩ,TO-2
FQP13N10J69Z FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M