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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 583 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 169 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP11N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
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| FQP11N40C | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
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| FQP11N40C | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 400V，10.5A，530mΩ |
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| FQP11N40C_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
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| FQP11N40TSTU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 400V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FQP11N50CF | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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| FQP11P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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| FQP11P06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-11.4 A，175 mΩ，TO- |
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| FQP11P06J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 60V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| FQP12N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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